Forno tubular PECVD
O forno tubular PECVD é um sistema de forno tubular de deposição de fase gasosa de plasma, que consiste em uma câmara de reação de quartzo, uma fonte de alimentação de radiofrequência, um sistema de mistura de gás multicanal, uma unidade de vácuo e um sistema de controle de reação. O forno usa material de fibra de alumina de alta pureza e a superfície é revestida com revestimento de alumina importado de alta temperatura para prolongar a vida útil do instrumento e melhorar a eficiência de aquecimento. Um dispositivo de indução de radiofrequência é instalado antes da tradicional deposição química de vapor para ionizar o gás de reação e gerar plasma. A alta atividade do plasma acelera a reação. Possui boa uniformidade e repetibilidade, pode formar filmes em uma grande área, pode formar filmes em baixas temperaturas, possui excelente cobertura de etapas, é fácil de controlar a composição e espessura do filme e fácil de industrializar. É amplamente utilizado no crescimento de filmes finos como grafeno, monóxido de silício, nitreto de silício, oxinitreto de silício e silício amorfo (A-SI: H).
| Tamanho do tubo do forno (MM) | Temperatura operacional (°C) | Grau de vácuo | Potência (KW) | Tensão | Elementos de aquecimento | Taxa de aquecimento |
| Φ60*2200 | 1100ºC | -0,1MPA 10PA 6,67*10-4PA | 3 | 220/380 V | Fio de resistência | 1-20°C/MIN |
| Φ80*2200 | 3 | |||||
| Φ100*2200 | 4 | |||||
| Φ120*2200 | 5 |
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